매력적인 그녀를 사로잡는 비결비아그라의 힘
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작성자 화수여라 쪽지보내기 메일보내기 자기소개 아이디로 검색 전체게시물 작성일25-12-28 20:04조회1회 댓글0건
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매력적인 그녀를 사로잡는 비결
비아그라의 힘
그녀의 마음을 사로잡는 첫걸음
사랑을 이루기 위해선 단순히 외적인 매력만이 아니라, 내면에서 우러나는 자신감과 에너지가 중요합니다. 특히, 남성으로서의 건강과 활력은 여성의 관심을 이끄는 강력한 요소입니다. 하지만 나이가 들거나, 스트레스와 생활습관 등의 영향으로 인해 성기능에 자신감을 잃는 경우도 많습니다.
그럴 때 필요한 것이 바로 비아그라Viagra입니다. 비아그라는 단순히 성기능을 돕는 약이 아니라, 당신의 자신감을 되찾고 사랑을 더욱 깊고 풍성하게 만들어주는 도구입니다.
비아그라란 무엇인가?
비아그라는 발기부전Erectile Dysfunction을 치료하는 데 효과적인 약물로, 1998년 세계 최초로 FDA 승인을 받은 이후 전 세계적으로 사랑받아 왔습니다. 주요 성분인 실데나필Sildenafil은 음경으로의 혈류를 증가시켜 자연스럽고 강력한 발기를 돕습니다.
비아그라의 주요 작용 원리
혈관 확장
실데나필은 혈관을 확장시켜 음경으로의 혈류량을 증가시키고, 안정적이고 강력한 발기를 가능하게 합니다.
효소 억제
발기 방해 요소인 PDE5 효소를 억제해 발기를 더 오래 지속할 수 있도록 돕습니다.
자연스러운 작용
성적 자극이 있을 때만 작용하므로, 불필요한 순간에 영향을 미치지 않습니다.
비아그라, 남성의 자신감을 되찾다
1. 남성으로서의 자신감 회복
성기능 문제는 단순한 신체적 문제를 넘어, 자신감 저하로 이어질 수 있습니다. 이는 사회적, 감정적 관계에 부정적인 영향을 미칠 수 있죠. 비아그라는 이런 문제를 효과적으로 해결하여 당신의 자신감을 다시 세워줍니다.
2. 사랑의 질을 높이다
만족스러운 성생활은 파트너와의 관계를 더욱 깊고 단단하게 만들어 줍니다. 비아그라는 그 중심에서 두 사람의 사랑을 더욱 풍성하게 만듭니다.
3. 믿을 수 있는 효과
비아그라는 수십 년간 축적된 임상 데이터를 통해 그 효과와 안전성이 입증된 약물입니다.
비아그라를 선택해야 하는 이유
1. 즉각적인 효과
복용 후 약 30~60분 이내에 효과를 발휘하며, 최대 4시간 동안 지속됩니다.
2. 심리적 안정감
비아그라는 발기부전을 극복하고 남성으로서의 자신감을 회복하게 해줍니다. 이를 통해 자연스럽고 편안한 관계를 유지할 수 있습니다.
3. 적은 부작용
비아그라는 수십 년간의 연구를 통해 안전성을 확보했으며, 부작용은 대부분 경미한 수준입니다.
4. 전 세계적으로 검증된 신뢰도
비아그라는 세계적으로 수억 명의 남성들에게 사랑받으며, 그 효과와 신뢰성을 입증해왔습니다.
사용자 경험담으로 확인하는 비아그라의 효과
김재훈42세, 서울
결혼 초에는 아내와의 관계가 자연스럽고 좋았지만, 몇 년 사이에 스트레스와 피로로 인해 자신감이 많이 떨어졌습니다. 비아그라를 알게 된 후 관계가 회복되었고, 아내와 더 많은 시간을 행복하게 보낼 수 있게 되었습니다.
박민수50세, 대전
나이가 들면서 자연스럽게 힘이 떨어졌다고 생각했는데, 비아그라 덕분에 다시 젊음을 찾은 기분입니다. 이제는 사랑하는 아내와의 시간이 더 즐겁고 특별해졌어요.
올바른 복용법과 주의사항
복용법
성관계 예정 시간 30~60분 전에 물과 함께 복용합니다.
공복 상태에서 복용하면 효과가 더 빠르게 나타날 수 있습니다.
하루 1회 복용을 권장하며, 과도한 복용은 피하세요.
주의사항
기저 질환 확인
심장 질환, 고혈압 등 기존 질환이 있는 경우 반드시 상담 후 복용하세요.
약물 상호작용
특정 약물특히 질산염 계열 약물과 함께 복용하면 심각한 부작용이 발생할 수 있으니 주의가 필요합니다.
부작용 관리
두통, 얼굴 홍조, 소화불량 등이 나타날 수 있으나 대체로 경미합니다.
비아그라, 사랑의 가교가 되다
사랑을 얻고 지키는 일은 쉬운 일이 아닙니다. 하지만 비아그라는 단순히 신체적인 문제를 해결하는 데 그치지 않고, 사랑의 질을 높이고 관계를 더 깊고 풍성하게 만드는 데 기여합니다.
지금, 당신의 자신감과 사랑을 되찾기 위해 비아그라를 선택해 보세요. 매력적인 그녀의 마음을 사로잡고, 당신의 사랑을 한 단계 더 깊게 만들어주는 열쇠가 되어줄 것입니다.
비아그라와 함께, 그녀와의 특별한 순간을 만들어보세요.
비아그라 먹고 안 하면 몸에 큰 문제가 생기지는 않지만, 불필요한 복용은 피하는 것이 좋습니다. 비아그라 먹으면 안 되는 사람으로는 심혈관 질환자나 특정 약물을 복용 중인 이들이 있으며, 전문가와 상담해야 합니다. 비아그라 자주 먹으면 내성이 생길 수 있으므로 필요한 경우에만 적정량을 사용하는 것이 중요합니다. 비아그라 정품 구별은 효과와 안전성을 위해 필수이며, 정품은 홀로그램, 제조사 정보 등을 통해 확인 가능합니다. 하나약국 전문가와 상담하시고, 건강한 사용으로 최상의 효과를 경험하세요
기자 admin@gamemong.info
SK하이닉스 이천캠퍼스 전경. /사진=SK하이닉스
2026년 병오년이 얼마 남지 않았습니다. 테크의 땅에서 붉은 말처럼 힘차게 달리려면 연말에 몸 좀 풀어놓아야겠죠. 내년에 봐야 할 SK하이닉스 이슈들 위주로 챙겨보겠습니다.
D램 키워드 : 1d D램 · High-NA EUV · M15X · 우시
오늘 야마토무료게임 HBM4 이슈는 잠깐 내려놓으려고 합니다. 범용 D램에 대한 공정과 설계 이슈도 조명해볼 것들이 있어서입니다.
우선 내년에 차세대 제품인 10나노급 7세대(1d) D램 개발에 대한 윤곽이 드러날 것으로 보입니다. 이 칩은 난도가 정말 높다고 합니다. D램 소자 내의 선폭이 1d D램에서 10㎚ 대까지 진입해서인데요.
릴게임5만 기존 목표로는 소자 선폭을 10㎚대 초반까지 줄여보려고 했지만, 이게 너무 쉽지 않아 올 2분기쯤 디자인 룰을 살짝 늘리는 결정도 있었던 걸로 알려졌습니다.
제가 최근까지 업데이트한 개발 단계에서 1d D램의 웨이퍼 수율은 10~20% 수준입니다. 그리고 내부에서 개발 완료 목표 시점은 내년 하반기께로 파악됐습니다. 삼성 황금성오락실 전자 역시 1d D램 수율 확보에 크게 고전하고 있는 건 마찬가지라고 합니다.
9월 SK하이닉스의 이천 사업장에서 개최됐던 High-NA EUV 기기 반입식. /사진=SK하이닉스
바다이야기
ASML의 High-NA EUV 노광기. /사진=ASML
차세대 칩 공정을 위한 High-NA EUV 노광기도 이슈입니다. 내년 1분기 말부터 세팅을 끝내고 본격 가동될 것으로 보입니다. ASML의 두번째 High-NA EUV 노광기인 '트윈스캔 E 백경릴게임 XE:5200B'가 9월부터 이천사업장 M16에 설치되고 있죠.
High-NA EUV는 당장 눈앞의 제품인 1d D램을 위한 기기는 아닙니다. 10㎚(0a) 이하 시대, 특히 SK하이닉스가 0b부터 적용할 버티컬 게이트(VG·4F²D램)에 요긴하게 쓸 목적으로 연구할 예정으로 파악됩니다. 내년에 SK하이닉스는 High-NA EUV 노광기 외에도 10대 안팎의 EUV 노광기를 팹에 들이려는 계획을 세우고 있다고 합니다. EUV 기기 투자만 해도 대당 3000억 원이라고 쳐도 수 조원이 넘는 규모죠.
SK하이닉스의 내년 D램 신규 투자의 핵심은 M15X입니다. HBM4에 대응하는 10나노급 5세대(1b) D램 위주로 채워지고요. 총 월 9만장 가량의 팹 생산능력에 월 4만 5000장~7만장 웨이퍼 라인이 갖춰질 것으로 예상됩니다.
SK하이닉스의 24GB LPDDR5X D램. /사진=SK하이닉스
M14와 M16 위주로 월 14만 장 안팎의 10나노급 6세대(1c) D램 라인 전환도 예상됩니다. 이건 엔비디아의 소캠2를 만들기 위한 의도도 있고요.
소캠2의 주요 재료이기도 하고 범용 D램의 일종인 저전력(LPDDR) D램이 요즘 완전 '동이 났다'고 하죠. LPDDR D램을 활용하는 스마트폰 등 IT 기기 기업들은 가격 급등은 고사하고 칩 찾기가 어려운 것부터가 문제라고 합니다. 가격 인상은 물론 기기의 스펙을 기존 타깃보다 낮추는 방안이 여기저기서 고려되고 있다고 하죠.
이런 상황에서 1c D램 라인을 초유의 범용 D램 공급부족 사태 속에서 어떤 식으로 운영할 지가 최대 과제일 걸로 보입니다.
중국 우시 공장도 업데이트를 해보면요. 2024년부터 시작된 10나노급 4세대(1a) D램 라인 전환 이후 1b D램 전환 같은 아주 유의미한 공정 전환은 없을 것으로 보입니다. 미국의 중국 EUV 규제가 여전히 영향권에 들어와 있는 것이 가장 큰 이유이고요. EUV 공정을 위한 웨이퍼 운반 비용(한국↔중국 물류비) 등을 고려하면 1b D램 전환은 상당한 리스크를 수반하기 때문인데요.
지금 국면으로 보면 완전히 레거시 D램인 1z와 1a D램 등은 우시에서, 1b·1c D램 등 최선단 라인은 이천과 청주에서 만드는 전략을 쓰는 것으로 풀이됩니다.
낸드 키워드: 321단·QLC·V10 하이브리드 본딩·스토리지 넥스트
SK하이닉스의 321단 QLC 낸드플래시. /사진=SK하이닉스
낸드는 내년에 321단 9세대(V9) 제품에 대한 라인 전환이 예정돼 있습니다. SK하이닉스는 올 10월 열렸던 2025년도 3분기 실적 발표회에서 낸드 라인의 절반을 V9으로 전환할 계획이라고 발표했습니다.
시장조사업체 트렌드포스에 따르면 현재 자회사 솔리다임을 제외한 SK하이닉스의 현재 총 낸드 생산능력은 월 14만 장 정도입니다. 내년까지 월 약 7만장 정도의 V9 생산 능력을 목표로 하고 있는 것으로 추정할 수 있겠죠.
또한 현재 고용량 낸드가 탑재되는 기업용 SSD(eSSD) 수요가 좋아서 회사의 낸드 라인은 풀가동되고 있는 것으로도 파악됩니다. SK하이닉스가 V9을 통해 구현하고 있는 쿼드레벨셀(QLC)도 인기가 꽤 좋다는 이야기가 들립니다.
또한 자회사 솔리다임도 QLC 제품에서 경쟁력이 있어서요. 중국 공장에서 192단 낸드 라인으로 전환이 이어지고 있는 것으로 파악됐습니다.
이미 연재물로 소개드린 바 있지만 SK하이닉스는 300단 중후반대로 추정되는 10세대(V10) 낸드도 내년에 개발 완료를 목표로 하고 있습니다. 여기에는 SK하이닉스가 낸드 공정에서 처음으로 하이브리드 본딩 공정을 도입할 준비를 하고 있습니다. 삼성전자·YMTC·일본 키옥시아와의 패키징 경쟁에서 어떤 차별화 포인트를 가져갈 수 있을지 주목됩니다.
SK하이닉스의 SSD. /사진=SK하이닉스
엔비디아의 '스토리지 넥스트' 프로젝트에 대응하는 제품 개발도 주목됩니다.
이건 젠슨 황 엔비디아 CEO의 블랙웰·루빈 같은 GPU나 AI 가속기 중심으로 데이터센터 구조를 만들기 위해 서버 속 SSD 아키텍처도 바꾸겠다는 생각에서 출발한 건데요.
기존 서버에서 SSD의 정보가 CPU의 명령을 거치고 GPU로 전달됐던 것에서, 이제 CPU의 개입을 최소화하면서 GPU가 직접적으로 처리하는 구조로 만들겠다는 게 핵심 콘셉트입니다.
마치 CPU의 주변장치처럼 느껴졌던 SSD를 GPU 연산의 전면에 끌어올리겠다는 의도죠. SK하이닉스는 이 제품을 AI-N P(퍼포먼스)라는 이름으로 개발 중입니다.
내년 말께 현존하는 SSD 정보 처리 속도의 10배 이상인 2500만 IOPS 정도를 지원하는 스토리지 시제품을 내고요. 2027년 말에 1억 IOPS까지 지원하는 제품을 만들겠다는 목표를 세운 것으로도 전해지죠.
HBM의 낸드 버전이라고 불리는 고대역폭플래시(HBF)도 회사에서 개발하고 있습니다. 내년 1월에 샌디스크와 협업해서 만든 HBF '알파' 버전이 나올 가능성이 있습니다. 알파 버전은 기능 검증 목적의 완전 초기 시제품이라 양산 시점이나 성능에 대해서는 더 기다려봐야 할 것 같습니다.
내년 메모리 업계에는 정말 다양한 이슈들이 많습니다. 특히 메모리 초호황 사이클이 다가오면서 다양한 메모리 제품군들이 주목받을 것으로 예상됩니다. 오늘 연재물은 여기서 마무리합니다. 행복한 연말 보내세요.
한국경제신문은 국내 언론사 중 최초로 반도체 종합 정보 플랫폼 ‘반도체 인사이트’를 열었습니다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 종합 반도체 기업은 물론 원익IPS 등 장비업체와 동진쎄미켐 등 소재·부품기업에 이르기까지 국내 반도체 밸류체인에 대한 뉴스를 두루 다룰 예정입니다. 향후 반도체 전문가로 필진을 구성하고, 독자의 갈증을 풀어줄 프리미엄 정보를 제공할 계획입니다. 국내 1호 대체 데이터 플랫폼 ‘한경 에이셀’ 등을 활용해 반도체 가격 추이 등 데이터 정보도 제공할 예정입니다. 한경닷컴 첫 페이지의 상단 메뉴에 있는 ‘프리미엄’을 클릭하면 반도체 인사이트(https://www.hankyung.com/semiconinsight)를 만날 수 있습니다.
강해령 기자 hr.kang@hankyung.com
2026년 병오년이 얼마 남지 않았습니다. 테크의 땅에서 붉은 말처럼 힘차게 달리려면 연말에 몸 좀 풀어놓아야겠죠. 내년에 봐야 할 SK하이닉스 이슈들 위주로 챙겨보겠습니다.
D램 키워드 : 1d D램 · High-NA EUV · M15X · 우시
오늘 야마토무료게임 HBM4 이슈는 잠깐 내려놓으려고 합니다. 범용 D램에 대한 공정과 설계 이슈도 조명해볼 것들이 있어서입니다.
우선 내년에 차세대 제품인 10나노급 7세대(1d) D램 개발에 대한 윤곽이 드러날 것으로 보입니다. 이 칩은 난도가 정말 높다고 합니다. D램 소자 내의 선폭이 1d D램에서 10㎚ 대까지 진입해서인데요.
릴게임5만 기존 목표로는 소자 선폭을 10㎚대 초반까지 줄여보려고 했지만, 이게 너무 쉽지 않아 올 2분기쯤 디자인 룰을 살짝 늘리는 결정도 있었던 걸로 알려졌습니다.
제가 최근까지 업데이트한 개발 단계에서 1d D램의 웨이퍼 수율은 10~20% 수준입니다. 그리고 내부에서 개발 완료 목표 시점은 내년 하반기께로 파악됐습니다. 삼성 황금성오락실 전자 역시 1d D램 수율 확보에 크게 고전하고 있는 건 마찬가지라고 합니다.
9월 SK하이닉스의 이천 사업장에서 개최됐던 High-NA EUV 기기 반입식. /사진=SK하이닉스
바다이야기
ASML의 High-NA EUV 노광기. /사진=ASML
차세대 칩 공정을 위한 High-NA EUV 노광기도 이슈입니다. 내년 1분기 말부터 세팅을 끝내고 본격 가동될 것으로 보입니다. ASML의 두번째 High-NA EUV 노광기인 '트윈스캔 E 백경릴게임 XE:5200B'가 9월부터 이천사업장 M16에 설치되고 있죠.
High-NA EUV는 당장 눈앞의 제품인 1d D램을 위한 기기는 아닙니다. 10㎚(0a) 이하 시대, 특히 SK하이닉스가 0b부터 적용할 버티컬 게이트(VG·4F²D램)에 요긴하게 쓸 목적으로 연구할 예정으로 파악됩니다. 내년에 SK하이닉스는 High-NA EUV 노광기 외에도 10대 안팎의 EUV 노광기를 팹에 들이려는 계획을 세우고 있다고 합니다. EUV 기기 투자만 해도 대당 3000억 원이라고 쳐도 수 조원이 넘는 규모죠.
SK하이닉스의 내년 D램 신규 투자의 핵심은 M15X입니다. HBM4에 대응하는 10나노급 5세대(1b) D램 위주로 채워지고요. 총 월 9만장 가량의 팹 생산능력에 월 4만 5000장~7만장 웨이퍼 라인이 갖춰질 것으로 예상됩니다.
SK하이닉스의 24GB LPDDR5X D램. /사진=SK하이닉스
M14와 M16 위주로 월 14만 장 안팎의 10나노급 6세대(1c) D램 라인 전환도 예상됩니다. 이건 엔비디아의 소캠2를 만들기 위한 의도도 있고요.
소캠2의 주요 재료이기도 하고 범용 D램의 일종인 저전력(LPDDR) D램이 요즘 완전 '동이 났다'고 하죠. LPDDR D램을 활용하는 스마트폰 등 IT 기기 기업들은 가격 급등은 고사하고 칩 찾기가 어려운 것부터가 문제라고 합니다. 가격 인상은 물론 기기의 스펙을 기존 타깃보다 낮추는 방안이 여기저기서 고려되고 있다고 하죠.
이런 상황에서 1c D램 라인을 초유의 범용 D램 공급부족 사태 속에서 어떤 식으로 운영할 지가 최대 과제일 걸로 보입니다.
중국 우시 공장도 업데이트를 해보면요. 2024년부터 시작된 10나노급 4세대(1a) D램 라인 전환 이후 1b D램 전환 같은 아주 유의미한 공정 전환은 없을 것으로 보입니다. 미국의 중국 EUV 규제가 여전히 영향권에 들어와 있는 것이 가장 큰 이유이고요. EUV 공정을 위한 웨이퍼 운반 비용(한국↔중국 물류비) 등을 고려하면 1b D램 전환은 상당한 리스크를 수반하기 때문인데요.
지금 국면으로 보면 완전히 레거시 D램인 1z와 1a D램 등은 우시에서, 1b·1c D램 등 최선단 라인은 이천과 청주에서 만드는 전략을 쓰는 것으로 풀이됩니다.
낸드 키워드: 321단·QLC·V10 하이브리드 본딩·스토리지 넥스트
SK하이닉스의 321단 QLC 낸드플래시. /사진=SK하이닉스
낸드는 내년에 321단 9세대(V9) 제품에 대한 라인 전환이 예정돼 있습니다. SK하이닉스는 올 10월 열렸던 2025년도 3분기 실적 발표회에서 낸드 라인의 절반을 V9으로 전환할 계획이라고 발표했습니다.
시장조사업체 트렌드포스에 따르면 현재 자회사 솔리다임을 제외한 SK하이닉스의 현재 총 낸드 생산능력은 월 14만 장 정도입니다. 내년까지 월 약 7만장 정도의 V9 생산 능력을 목표로 하고 있는 것으로 추정할 수 있겠죠.
또한 현재 고용량 낸드가 탑재되는 기업용 SSD(eSSD) 수요가 좋아서 회사의 낸드 라인은 풀가동되고 있는 것으로도 파악됩니다. SK하이닉스가 V9을 통해 구현하고 있는 쿼드레벨셀(QLC)도 인기가 꽤 좋다는 이야기가 들립니다.
또한 자회사 솔리다임도 QLC 제품에서 경쟁력이 있어서요. 중국 공장에서 192단 낸드 라인으로 전환이 이어지고 있는 것으로 파악됐습니다.
이미 연재물로 소개드린 바 있지만 SK하이닉스는 300단 중후반대로 추정되는 10세대(V10) 낸드도 내년에 개발 완료를 목표로 하고 있습니다. 여기에는 SK하이닉스가 낸드 공정에서 처음으로 하이브리드 본딩 공정을 도입할 준비를 하고 있습니다. 삼성전자·YMTC·일본 키옥시아와의 패키징 경쟁에서 어떤 차별화 포인트를 가져갈 수 있을지 주목됩니다.
SK하이닉스의 SSD. /사진=SK하이닉스
엔비디아의 '스토리지 넥스트' 프로젝트에 대응하는 제품 개발도 주목됩니다.
이건 젠슨 황 엔비디아 CEO의 블랙웰·루빈 같은 GPU나 AI 가속기 중심으로 데이터센터 구조를 만들기 위해 서버 속 SSD 아키텍처도 바꾸겠다는 생각에서 출발한 건데요.
기존 서버에서 SSD의 정보가 CPU의 명령을 거치고 GPU로 전달됐던 것에서, 이제 CPU의 개입을 최소화하면서 GPU가 직접적으로 처리하는 구조로 만들겠다는 게 핵심 콘셉트입니다.
마치 CPU의 주변장치처럼 느껴졌던 SSD를 GPU 연산의 전면에 끌어올리겠다는 의도죠. SK하이닉스는 이 제품을 AI-N P(퍼포먼스)라는 이름으로 개발 중입니다.
내년 말께 현존하는 SSD 정보 처리 속도의 10배 이상인 2500만 IOPS 정도를 지원하는 스토리지 시제품을 내고요. 2027년 말에 1억 IOPS까지 지원하는 제품을 만들겠다는 목표를 세운 것으로도 전해지죠.
HBM의 낸드 버전이라고 불리는 고대역폭플래시(HBF)도 회사에서 개발하고 있습니다. 내년 1월에 샌디스크와 협업해서 만든 HBF '알파' 버전이 나올 가능성이 있습니다. 알파 버전은 기능 검증 목적의 완전 초기 시제품이라 양산 시점이나 성능에 대해서는 더 기다려봐야 할 것 같습니다.
내년 메모리 업계에는 정말 다양한 이슈들이 많습니다. 특히 메모리 초호황 사이클이 다가오면서 다양한 메모리 제품군들이 주목받을 것으로 예상됩니다. 오늘 연재물은 여기서 마무리합니다. 행복한 연말 보내세요.
한국경제신문은 국내 언론사 중 최초로 반도체 종합 정보 플랫폼 ‘반도체 인사이트’를 열었습니다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 종합 반도체 기업은 물론 원익IPS 등 장비업체와 동진쎄미켐 등 소재·부품기업에 이르기까지 국내 반도체 밸류체인에 대한 뉴스를 두루 다룰 예정입니다. 향후 반도체 전문가로 필진을 구성하고, 독자의 갈증을 풀어줄 프리미엄 정보를 제공할 계획입니다. 국내 1호 대체 데이터 플랫폼 ‘한경 에이셀’ 등을 활용해 반도체 가격 추이 등 데이터 정보도 제공할 예정입니다. 한경닷컴 첫 페이지의 상단 메뉴에 있는 ‘프리미엄’을 클릭하면 반도체 인사이트(https://www.hankyung.com/semiconinsight)를 만날 수 있습니다.
강해령 기자 hr.kang@hankyung.com
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